紫旸升光电(淄博)第一阶段设备采购

变更公告

一、项目基本情况

原公告的采购项目编号：ZBSJ20210042

原公告的采购项目名称：紫旸升光电(淄博)第一阶段设备采购

首次公告日期：2021年5月17日

二、更正信息

1、项目基本情况中

原内容：

预算金额：11109万元

最高限价：包一：9126万元。

变更为：

预算金额：10525万元

最高限价：包一：8542万元。

2、获取招标文件时间

原内容：

2021年05月18日8:30时至2021年06月08日09:00时。

变更为：

2021年05月18日8:30时至2021年06月22日09:00时

3、提交投标文件截止时间

原内容：

2021年06月09日09点00分。

变更为：

2021年06月23日09点00分

4、招标文件第三部分-招标项目内容及要求

原内容：

一、采购说明

包1光刻、涂胶及镀膜设备，采购预算:9126万

二、项目背景购设备清单及技术参数

包1光刻、涂胶及镀膜设备，采购预算:9126万

序号

设备

技术参数

单位

数量

名称

配置要求

工艺要求

1

☆8寸圆形玻璃衬底片光刻匀胶显影机

1.设备尺寸要求：200mm玻璃wafer的生产,厚度为0.4~0.7mm；

2.设备功能要求：

满足PR厚度＞1um，分辨率小于0.35um的匀胶曝光显影生产需求，满足WPH>60/每小时，配置需包含或大于2组涂胶单元，2组显影单元，8组低温热板（60~120°C），3组冷热板组合模组，4组冷板；配置包含ADH单元，以及WEE单元各一组；设备要求可使用6种或以上的PR进行工艺生产，旋转模组卡盘转速可程序控制在＞4000±1RPM；

3.其他：要求配备标准片，提供技术支持服务，包括技术培训，现场故障处理等。

1.Particle：增量＜10ea@0.2um；2.光阻厚度均匀性：光阻厚度光阻厚度10000+/-1500A，u%＜5%50000+/-3000A，u%＜7%；3.显影后CD3sigma＜0.025um@0.4um。

套

1

3

☆8寸I线

光刻曝光机

1.设备尺寸要求：200mm玻璃wafer的生产,厚度为0.4~0.7mm；

2.设备功能要求：

镜头数值孔径（NA）≥0.57，曝光分辨率≤350nm，曝光缩小比例5：1，曝光最大区域＞26*22mm，对位精度≤40nm

曝光光强≥600mW/㎠；缺角对准单元一组，粗对准镜头模组一组，精对准镭射一组，精对准光学镜头模组一组，曝光平台单元一组，光罩储存单元≥10个

其他：要求配备标准片，提供技术支持服务，包括技术培训，现场故障处理等。

1.Particle：增量＜10ea@0.2um；

2.曝光均匀性：光CD=1um，CDu%＜0.1%；

3.对位重复精度3sigma＜35um；

4.焦距Focus重复精度3sigma≤100nm。

套

2

6

☆电极金属真空溅射镀膜设备

1、设备要求：翻新或新设备,基础架构配置含两个装卸载装置、一个传送腔、四个工艺腔。

2、设备功能要求：于6寸蓝宝石外延片上具备钛、镍、铟锡、金膜镀膜功能；

3、设备产能要求：设备平均完好率≥85%；平均故障间隔时间(MTBF)≥240小时；碎片率≤1/10000片

4、设备环境要求:颗粒度<30EA(Size0.3µm)；

5、其它：要求配备特殊维护工具，一定周期的耗材，并提供技术支持，包括技术培训，现场故障处理等；

1、钛镀成膜速率≥20Å/sec

1-1、钛片阻≤10.8Ω/sq

1-2、钛片内电阻均匀性

≤10.0%

1-3、钛片间均匀性≤3.0%

2、镍镀成膜速率≥40Å/sec

2-1、镍片阻≤2.3/sq

2-2、镍片内电阻均匀性

≤10.0%

2-3、镍间均匀性≤3.0%

3、铟锡镀成膜速率≥174Å/sec

3-1、铟锡片阻≤3.8Ω/sq

3-2、铟锡片内电阻均匀性

≤10.0%

3-3、铟锡片间均匀性≤3.0%

4、金镀成膜速率≥25Å/sec

4-1、金片阻≤2.7Ω/sq

4-2、金片内电阻均匀性

≤10.0%

4-3、金片间均匀性≤3.0%

套

1

包2干法刻蚀设备/干法去胶设备，采购预算:1983万

序号

设备

技术参数

单位

数量

名称

配置要求

工艺要求

4

干法去胶

设备

1、设备要求：单片式单腔体

2、设备功能要求：于6寸蓝宝石外延片上具备去胶功能；

3、设备产能要求：设备平均完好率≥90%；平均故障间隔时间(MTBF)≥350小时；碎片率≤1/10000片

4、设备环境要求:颗粒度<20EA(Size0.3µm)；

5、其它：要求配备特殊维护工具，一定周期的耗材，特殊备件的调配周期不超过20天，并提供技术支持，包括技术培训，现场故障处理等。

1、去胶速率>32,000Å/min；

2、片内均匀性

≤5.0%；

片间均匀性

≤5.0%；

批间均匀性

≤5.0%；

套

1

变更为：

包1光刻、涂胶及镀膜设备，采购预算:8542万

二、项目背景购设备清单及技术参数

包1光刻、涂胶及镀膜设备，采购预算:8542万

序号

设备

技术参数

单位

数量

名称

配置要求

工艺要求

1

☆8寸圆形玻璃衬底片光刻匀胶显影机

1.设备尺寸要求：200mm玻璃wafer的生产,厚度为0.4~0.7mm；

2.设备功能要求：

满足PR厚度＞1um，分辨率小于0.35um的匀胶曝光显影生产需求，满足WPH>60/每小时，配置需≧4组涂胶单元，≧4组显影单元，16组低温热板（60~120°C），2组高温热板（90~180°C），4组冷热板组合模组，10组冷板；配置包含ADH单元2组，以及WEE单元1组；设备要求可使用12种或以上的PR进行工艺生产，旋转模组卡盘转速可程序控制在＞4000±1RPM；

3.其他：要求配备标准片，提供技术支持服务，包括技术培训，现场故障处理等。

1.Particle：增量＜10ea@0.2um；2.光阻厚度均匀性：光阻厚度光阻厚度10000+/-1500A，u%＜5%50000+/-3000A，u%＜7%；3.显影后CD3sigma＜0.025um@0.4um。

套

1

3

☆8寸I线

光刻曝光机

1.设备尺寸要求：200mm玻璃wafer的生产,厚度为0.4~0.7mm；

2.设备功能要求：

镜头数值孔径（NA）≥0.57，曝光分辨率≤350nm，曝光缩小比例5：1，曝光最大区域＞26*22mm，对位精度≤40nm

曝光光强≥600mW/㎠；缺角对准单元一组，粗对准镜头模组一组，精对准镭射一组，精对准光学镜头模组一组，曝光平台单元一组，光罩储存单元≥10个

其他：要求配备标准片，提供技术支持服务，包括技术培训，现场故障处理等。

1.Particle：增量＜10ea@0.2um；

2.曝光均匀性：光CD=1um，CDu%＜0.1%；

3.对位重复精度3sigma＜35um；

4.焦距Focus重复精度3sigma≤100nm。

套

1

6

☆电极金属真空溅射镀膜设备

1、设备要求：翻新或新设备,基础架构配置含两个装卸载装置、一个传送腔、四个工艺腔。

2、设备功能要求：于6寸蓝宝石外延片或8寸凹槽硅片上具备钛、镍、铟锡、金膜镀膜功能；

3、设备产能要求：设备平均完好率≥85%；平均故障间隔时间(MTBF)≥240小时；碎片率≤1/10000片

4、设备环境要求:颗粒度<30EA(Size0.3µm)；

5、其它：要求配备特殊维护工具，一定周期的耗材，并提供技术支持，包括技术培训，现场故障处理等；

1、钛镀成膜速率≥20Å/sec

1-1、钛片阻≤10.8Ω/sq

1-2、钛片内电阻均匀性

≤10.0%

1-3、钛片间均匀性≤3.0%

2、镍镀成膜速率≥40Å/sec

2-1、镍片阻≤2.3/sq

2-2、镍片内电阻均匀性

≤10.0%

2-3、镍间均匀性≤3.0%

3、铟锡镀成膜速率≥174Å/sec

3-1、铟锡片阻≤3.8Ω/sq

3-2、铟锡片内电阻均匀性

≤10.0%

3-3、铟锡片间均匀性≤3.0%

4、金镀成膜速率≥25Å/sec

4-1、金片阻≤2.7Ω/sq

4-2、金片内电阻均匀性

≤10.0%

4-3、金片间均匀性≤3.0%

套

1

包2干法刻蚀设备/干法去胶设备，采购预算:1983万

序号

设备

技术参数

单位

数量

名称

配置要求

工艺要求

4

干法去胶

设备

1、设备要求：单片式单腔体或是多腔体

2、设备功能要求：于6寸蓝宝石外延片上具备去胶功能；

3、设备产能要求：设备平均完好率≥90%；平均故障间隔时间(MTBF)≥350小时；碎片率≤1/10000片

4、设备环境要求:颗粒度<20EA(Size0.3µm)；

5、其它：要求配备特殊维护工具，一定周期的耗材，特殊备件的调配周期不超过20天，并提供技术支持，包括技术培训，现场故障处理等。

1、去胶速率>32,000Å/min；

2、片内均匀性

≤5.0%；

片间均匀性

≤5.0%；

批间均匀性

≤5.0%；

套

1

三、其他补充事宜

无

四、凡对本次公告内容提出询问，请按以下方式联系。

1.采购人信息

名称：淄博高新产业投资有限公司

地址：山东省淄博市高新区鲁泰大道51号高分子材料园A座2007号

联系方式：孙凡0533-3587980

2.采购代理机构信息

名称：山东瀚广建设项目管理有限公司

地址：淄博高新区中润大道39号九宏大厦三楼

联系方式：张雨萌0533-3556667

3.项目联系方式

项目联系人：张雨萌

电话：0533-3556667

4.监督机构

名称：淄博高新区智能制造产业发展中心

联系人：熊纪龙

地址：淄博高新区仪器仪表产业园2号综合楼

联系方式：0533-3589762

发布人：山东瀚广建设项目管理有限公司

2021年6月4日