随着2026中国国际光电博览会圆满落下帷幕，立n半导体本次参展之旅也顺利收官。展会期间，立n携全栈硅基GaN产品矩阵重磅亮相，现场集中展示 LEKIN-SiMiP®显示芯片、Micro-LED光互连晶圆样品、紫外光源芯片/封装/模组，全方位展现公司跨显示、算力光互连、特种光源领域的技术布局与产品实力。

同源技术底座，释放跨赛道协同效能

依托硅基GaN统一技术底座，LEKIN‑SiMiP®显示、Micro‑LED光互连、特种光源共享同源材料、工艺与专利根基，各赛道在此基础上攻坚差异化技术难题，实现多业务线协同创新。本次光博会重点展出三大类产品：

LEKIN-SiMiP® 显示芯片

自研LEKIN-SiMiP®技术规避巨量转移行业痛点，赋能微间距全场景应用，覆盖虚拟制片、私人影院等高端显示领域。未来依托更大尺寸平台可实现AM-SiMiP灯驱合一晶圆键合，将发光芯片与CMOS驱动实现晶圆级集成，实现高对比度、高刷新率，为透明显示、下一代大尺寸 Micro-LED电视储备核心技术能力。同源平台同步支撑Micro-LED微显示业务，该业务现已实现部分特种微显产品落地，并持续拓展AR微显、车载智能像素投影大灯等前沿方向。

Micro-LED光互连晶圆样品

面向AI 算力短距并行传输的技术成果，同样诞生于硅基GaN技术平台，适配未来800G/1.6T/3.2T CPO架构应用场景，目前已收获DEMO示范订单，按技术规划预计2028年开启小批量送样。

紫外光源芯片、封装及模组

依托硅基GaN平台搭建全波段UV产品矩阵，涵盖UVA/UVB/UVC芯片、灯珠封装及配套模组，面

向工业固化、消毒杀菌、有害生物防治等多元应用，已实现稳定批量供货。

立n硅基GaN平台核心优势

规模化制造优势显著

未来可拓展更大尺寸硅基全自动产线，相较蓝宝石4/6 英寸衬底，晶圆利用率、生产效率与良率更优，适配多品类器件大规模产业化；

优异光学耦合性能

自研硅隔离墙搭配微透镜技术，有效抑制像素与信号串扰，显著提升光提取与光纤耦合效率；

原生光电集成能力

支持晶圆键合工艺，可与CMOS驱动实现晶圆级集成，适配显示、光引擎阵列等高密度器件的灯驱合一开发需求；

全链条自主可控IDM模式

覆盖外延、芯片设计、制造到测试全流程自研，支持多品类客户定制化开发，加速产品迭代落地；

深厚专利壁垒加持

依托自研及继承专利包构建完善知识产权矩阵，为全产品线商业化构筑坚实的护城河。

未来展望

立足硅基GaN这一核心技术，立n半导体不止做显示领域的突破者，更致力成为光电全场景解决方案的引领者。展会虽已落幕，但技术创新与产业协作的脚步不会停歇。我们将持续释放同源技术底座的跨赛道协同价值，打通显示、车载投影、算力光互连、特种光源多赛道，助力国产光电技术创新突破！